電梯前室壓力傳感器的概念是什么?

于是設(shè)計師便提出了電梯前室壓力傳感器的概念， 用于檢測相應(yīng)空間余壓值， 并通過余壓閥控制送風(fēng)方向， 達(dá)到控制余壓值的目的。 在我們進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)過程中，根據(jù)其功能，我們將它命名為：壓差測控器（有的廠家也成為壓力或壓差控制器） 。因為其一方面源于它的檢測功能，而且測量的是兩個空間空氣壓力差值，另一方面， 它還要根據(jù)檢測的壓差值，對旁通閥進(jìn)行動態(tài)調(diào)控。因此稱它為壓力或壓差傳感器更為貼切。

電梯前室壓力傳感器芯體材質(zhì)的性能

目前，電梯前室壓力傳感器芯體材質(zhì)品種繁多，下面簡單介紹下幾種芯體材質(zhì)的性能 一、單晶硅 硅在集成電路和微電子器件生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用，主要是利用硅的電學(xué)特性；在MEMS微機(jī)械結(jié)構(gòu)中，則是利用其機(jī)械特性，繼而產(chǎn)生新一代的硅機(jī)電器件和裝置。硅材料儲量豐富，成本低。硅晶體生長容易，并存在超純無雜的材質(zhì)，不純度在十億分這一的量級，因而本身的內(nèi)耗小，機(jī)械品質(zhì)因數(shù)可高達(dá)10^6數(shù)量級。設(shè)計得當(dāng)?shù)奈⒒顒咏Y(jié)構(gòu)，如微傳感器，能達(dá)到的遲滯和蠕變、的重復(fù)性和長期穩(wěn)定性以及高可靠性。所以用硅材制作硅壓阻電梯前室壓力傳感器，有利于解決長困擾傳感器領(lǐng)域的3個難題——遲滯、重復(fù)性及長期漂移。 硅材料密度為2.33g/cm^2，是不銹鋼密度的1/3.5，而彎曲強(qiáng)度卻為不銹鋼的3.5倍，具有較高的強(qiáng)度/密度比和較高的剛度/密度比。單晶硅具有很好的熱導(dǎo)性，是不銹鋼的5倍，而熱膨脹系數(shù)則不到不銹鋼的1/7，能很好地和低膨脹Invar合金連接，并避免熱應(yīng)力產(chǎn)生。單晶硅為立方晶體，是各向異性材料。許多機(jī)械特性和電子特性取決于晶向，如彈性模量和壓阻效應(yīng)等。

多晶硅電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)大值的30倍

二、多晶硅 多晶硅是許多單晶（晶粒）的聚合物。這些晶粒的排列是無序的，不同晶粒有不同的單晶取向，而每一晶粒內(nèi)部有單晶的特征。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界，晶界對其電特性的影響可以通過摻雜原子濃度調(diào)節(jié)。多晶硅膜一般由低壓化學(xué)氣相淀積（LPVCD）法制作而成，其電阻率隨摻硼原子濃度的變化而發(fā)生較大變化。多晶硅膜的電阻率比單晶硅的高，特別在低摻雜原子濃度下，多晶硅電阻率迅速升高。隨摻雜原子濃度不同，其電阻率可在較寬的數(shù)值范圍內(nèi)變化。 多晶硅具有的壓電效應(yīng)：壓縮時電阻下降，拉伸時電阻上升。多晶硅電阻應(yīng)變靈敏系統(tǒng)隨摻雜濃度的增加而略有下降。其中縱向應(yīng)變靈敏系數(shù)大值約為金屬應(yīng)變計大值的30倍，為單晶硅電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)大值的1/3；橫向應(yīng)靈敏系數(shù)，其值隨摻雜濃度出現(xiàn)正負(fù)變化，故一般都不采用。

化合物半導(dǎo)體材料硅是制作微機(jī)電器件和裝置的主要材料

四、化合物半導(dǎo)體材料 硅是制作微機(jī)電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統(tǒng)的性能以及擴(kuò)大應(yīng)用范圍，化合物半導(dǎo)體材料在某些專門技術(shù)方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應(yīng)用。 現(xiàn)以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質(zhì)作用產(chǎn)生的各種效應(yīng)發(fā)展起來的，實用的光敏探測器，主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（摻雜）半導(dǎo)體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料，通過調(diào)整材料的組分，不僅可以制成適合3個波段的器件，還可以開發(fā)更長工作波段（1-30μm）的應(yīng)用，因而備受人們的關(guān)注。 須指出的是，上述材料需要在低溫（如77K）下工作。因為在室溫下，由于晶格振動能量與雜質(zhì)能量的相互作用，使熱激勵的載流子數(shù)增加，而激發(fā)的光子數(shù)則明顯減少，從而降低了波長區(qū)的探測靈敏度。